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硅芯清洗方式及分类

[导读]硅芯清洗方式及分类。

目前硅片和硅料清洗方法分为物理清洗和化学清洗两种。化学清洗有:RAC清洗(采用NH4OH(NH3·H2O)+H2O2+H2O,HCL+H2O2+H2O湿式化学清洗),混酸清洗(HNO3+HF),HF气相干洗;物理清洗方法有声波清洗,高压喷洗,擦拭清洗等。


颗粒沾污:运用物理方法可采用机械擦洗或超声波去除≥0.4μm的颗粒,利用兆声波可去除≥0.2μm的颗粒。有机物沾污:可通过有机溶剂的溶解作用,结合超声波清洗去除。金属元素的沾污:

(1)沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅料表面。


(2)带正电的金属离子得到电子后面附着到硅片表面。去除方法有:

a.使用强氧化剂使附着到硅表面的金属离子氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。

b用无害的小直径强正离子(如H+)来替代吸附在硅片表面的金属离子,使之溶解于清洗液中。

c.用大量去离水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。


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