RCA 清洗法是一种典型的湿式化学清洗。这是第一种系统发展的可应用于裸硅片及氧化硅片的清洗工艺。该方法使用双氧水与酸/碱溶液的混合物进行两步氧化，首先在碱性环境中处理，然后在酸性环境中处理。由于此方法是由RCA 公司于20 世纪60 年代开发的，因此被称为RCA 清洗法。

RCA 清洗在清除晶片表面的有机物、粒子和金属等污染物时十分有效，这也是为什么它能够得到如此广泛的应用。但该清洗方法也存在很多缺点：比如清洗过程中要用到大量的不同的化学试剂，对环境污染比较严重；又因为清洗过程主要是在高温环境下，这需要大量的液体化学品和超纯水；同时也需要大量的空气来抑制化学试剂的蒸发；化学试剂的使用会加大硅片的粗糙度。所以，耗用化学品大、排放量大和污染环境已经制约了RCA 清洗法的继续应用，需要改进和新的清洗方法。