兆声波清洗能同时起到机械擦洗和化学清洗两种方法的作用。兆声波清洗保持了超声波清洗的优点，同时克服了超声波清洗的不足和局限性，避免了因空化作用而造成对元器件表面的损伤。由于兆声波方向性强，液体线性方向高速流动，减少了清洗本身所造成的沾污 。

目前，兆声波清洗技术已成为 CMP 后超精密清洗的一种有效方法，它具有以下特点:

1)可以去除小于 0. 2 μm 以下的颗粒污染物。

2)清洗效率高，清洗时间可以达 10 s 以内。

3)避免了超声波清洗中空化现象可能引起的对元器件表面的损伤与污染物残留。

4)通过实际应用试验，对硅晶片表面吸附的纳米级 SiO 2 粒子可以达到 99. 5%以上的清洗效率。

5)在 CMP 超精密加工技术中，兆声波清洗完全可以满足超精密清洗技术要求。

CMP 抛光后表面清洗质量直接关系到 CMP 技术水平高低。目前，兆声波清洗已成为 CMP 后超精密清洗的一种有效方法。在兆声波清洗过程中，清洗设备、工艺参数及清洗药剂的选择，对超光滑表面的清洗质量影响较大。因此，正确掌握和应用兆声波清洗技术，对 CMP 超精密抛光加工技术的发展起推动作用，对电子元器件的生产以及提高电子产品的性能、可靠性与稳定性起至关重要的作用。